• ¡En oferta!
  • -2,5%
SSD Samsung 990 PRO 1TB M.2 NVMe

SSD Samsung 990 PRO 1TB M.2 NVMe

MZ-V9P1T0B
Últimas unidades en stock
$ 165.740 $ 169.990 -2,5%
Impuestos incluidos
$ 8.287 descuento en Pagos por transferencia bancaria

SSD Samsung 990 PRO 1TB M.2 NVMe

 

Nuestro SSD definitivo
Alcance el máximo rendimiento con PCIe® 4.0.

Experimenta una velocidad de explosión de oponentes más duradera.

El control de calor inteligente del controlador interno brinda una eficiencia energética suprema mientras mantiene un rendimiento feroz que siempre lo mantiene en la cima de su juego.

Velocidad PCIe® 4.0 maximizada
Obtenga velocidades de lectura/escritura que son un 40%/55% más rápidas que 980 PRO. Experimente hasta 1400K/1550K IOPS, mientras que las velocidades de lectura/escritura secuencial de hasta 7450/6900 MB/s se acercan al rendimiento máximo de PCIe® 4.0. Vuela alto en juegos, edición de video, modelado 3D, análisis de datos y más.

Eficiencia energética revolucionaria
Use menos energía y obtenga más rendimiento. Disfrute de un rendimiento por vatio mejorado hasta en un 50 % con respecto al 980 PRO, además de una eficiencia energética óptima con un rendimiento máximo de PCIe ® 4.0.

Control térmico inteligente
El controlador de gama alta recubierto de níquel de Samsung ofrece un control térmico efectivo y evita caídas repentinas de rendimiento por sobrecalentamiento.

Marca de memoria flash n.º 1 del mundo
Experimente el rendimiento y la confiabilidad que solo puede obtener de la marca número uno del mundo en memoria flash desde 2003. Todo el firmware y los componentes, incluidos los mundialmente famosos DRAM y NAND de Samsung, se producen internamente, lo que permite una integración de extremo a extremo para calidad en la que puede confiar.


Características Principales

Interfaz

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

Dimensiones

80 x 22 x 2.3 mm
Velocidades Lectura Secuencial: 7,450 MB/s
Escritura secuencial: 6,900 MB/s 

Capacidad

1,000GB
Formato

M.2 (2280)

Interfaz

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC
Memoria caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Soporte TRIM

Supported

Soporte S.M.A.R.T

Supported

GC (Garbage Collection)

Auto Garbage Collection Algorithm

Encriptación

AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)

IOPS 4KB, QD32

Lectura aleatoria: Hasta 1,200,000 IOPS
Escritura aleatoria: Hasta 1,550,000 IOPS 

IOPS 4KB, QD1

Lectura aleatoria: Hasta 22,000 IOPS
Escritura aleatoria: Hasta 80,000 IOPS

2 Artículos
Sin comentarios

Los clientes que compraron este producto también han comprado:

Producto añadido a la lista de deseos
Producto añadido para comparar.